Артикул: 233844

Сравнить Напечатать

Оперативная память Crucial CT32G4RFD4266

Name: Оперативная память Crucial CT32G4RFD4266
Brand: Crucial
Price: 14510 RUB

Срок доставки товара - больше 2-х дней.

в Москве

Цена 14 510 руб. Купить Цена для
юр. лиц 15 100 руб. Купить

* Стоимость при покупке физическими лицами.

Возможно, Вас заинтересует:

Оперативная память для компьютеров Crucial 800 MHz | Оперативная память для ноутбуков Crucial 1600 MHz | Оперативная память Crucial | Оперативная память для компьютеров Crucial 1600 MHz | Твердотельные накопители (SSD) Crucial | Оперативная память для ноутбуков Crucial 2133+ MHz

Характеристики
Отзывы ()

Характеристики

Общие характеристики:

Тип памяти

Тип оперативной памяти. Тип определяет внутреннюю структуру и основные характеристики памяти. На сегодняшний день существует пять основных типов оперативной памяти: SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, RIMM. SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) - синхронная динамическая память со случайным доступом. Преимуществом, по сравнению с памятью предыдущих поколений, является наличие синхронизации с системным генератором, что позволяет контроллеру памяти точно знать время готовности данных, благодаря чему временные задержки в процессе циклов ожидания уменьшаются, т.к. данные могут быть доступны во время каждого такта таймера. Ранее широко использовалась в компьютерах, но сейчас практически полностью вытеснена DDR, DDR2 и DDR3. DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) - синхронная динамическая память со случайным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Основным преимуществом DDR SDRAM перед SDRAM является то, что за один такт системного генератора может осуществляться две операции с данными, что приводит к увеличению вдвое пиковой пропускной способности при работе на той же частоте. DDR2 SDRAM - поколение памяти, следующее за DDR. Принцип функционирования аналогичен использующемуся в DDR. Отличие состоит в возможности выборки 4-х бит данных за один такт (для DDR осуществляется 2-х битная выборка), а также в более низком энергопотреблении модулей памяти, меньшем тепловыделении и увеличении рабочей частоты. DDR3 SDRAM - следующее поколение после DDR2 SDRAM, она использует ту же технологию "удвоения частоты". Основные отличия от DDR2 - способность работать на более высокой частоте, и меньшее энергопотребление. В модулях DDR3 используются "ключи" (ориентирующие прорези), отличающиеся от "ключей" DDR2, что делает их несовместимыми со старыми слотами. DDR3L и LPDDR3 - стандарты памяти DDR3 с пониженным энергопотреблением. Напряжение питания у DDR3L снижено до 1.35 В. Напряжение LPDDR3 - 1.2 В. Для сравнения, у "обычных" модулей DDR3 напряжение питания составляет 1.5 В. DDR4 - следующее поколение модулей памяти после DDR3. Основное отличие DDR4 - удвоенная максимальная скорость передачи данных - до 3,2 Гбит/с. Также увеличена максимальная частота (до 4266 МГц) и стабильность работы. Модули DDR4 имеют увеличенное число контактов, что делает их несовместимыми со старыми слотами. RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) - синхронная динамическая память, разработанная компанией Rambus. Основными отличиями от DDR-памяти являются увеличение тактовой частоты за счет уменьшения разрядности шины и одновременная передача номера строки и столбца ячейки при обращении к памяти. При чуть большей производительности RDRAM была существенно дороже DDR, что привело к практически полному вытеснению этого типа памяти с рынка. При выборе типа памяти в первую очередь следует ориентироваться на возможности вашей материнской платы - совместимость с различными модулями памяти.

DDR4

Форм-фактор

Форм-фактор модуля оперативной памяти. Форм-фактор - это стандарт, определяющий размеры модуля памяти, а также количество и расположение контактов. Существует несколько физически несовместимых форм-факторов памяти: SIMM, DIMM, FB-DIMM, SODIMM, MicroDIMM, RIMM, LRDIMM. SIMM (Single in Line Memory Module) - на модулях памяти форм-фактора SIMM обычно располагаются 30 или 72 контакта, при этом каждый контакт имеет выход на обе стороны платы памяти. DIMM (Dual in Line Memory Module) - модули памяти форм-фактора DIMM, как правило, имеют 168, 184, 200 или 240 независимых контактных площадок, которые расположены по обе стороны платы памяти. Модули памяти стандарта FB-DIMM предназначены для использования в серверах. Механически они аналогичны модулям памяти DIMM 240-pin, но абсолютно несовместимы с обычными небуферизованными модулями памяти DDR2 DIMM и Registered DDR2 DIMM. SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) - более компактный вариант DIMM, использующийся чаще всего в ноутбуках и Tablet PC. 144-контактные и 200-контактные модули наиболее популярные SODIMM, но также встречаются 72 и 168-контактные. MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module) - еще один вариант DIMM, часто устанавливаемый в субноутбуки. По размерам меньше, чем SODIMM и имеет 60 контактных площадок. MicroDIMM доступны в следующих вариантах: 144-контактная SDRAM, 172-контактная DDR и 214-контактная DDR2. RIMM - форм-фактор для всех модулей памяти типа RIMM (RDRAM), имеет 184, 168 или 242 контакта. LRDIMM-модули устанавливаются в серверах. Они оснащаются буфером, снижающим нагрузку на шину памяти. Форм-фактор модуля оперативной памяти должен совпадать с форм-фактором, поддерживаемым материнской платой вашего компьютера.

DIMM

Тактовая частота

Максимальная частота системного генератора, по которой синхронизируются процессы приема и передачи данных. Для памяти типа DDR, DDR2 и DDR3 указывается удвоенное значение тактовой частоты, т.к. за один такт производится две операции с данными. Чем выше тактовая частота, тем больше операций совершается в единицу времени, что позволяет более стабильно и быстро работать компьютерным играм и другим приложениям. При прочих одинаковых характеристиках память с более высокой тактовой частотой имеет более высокую стоимость.

2666 Mhz

Пропускная способность

Пропускная способность модуля памяти - количество передаваемой или получаемой информации за одну секунду. Значение данного параметра напрямую зависит от тактовой частоты памяти и рассчитывается умножением тактовой частоты на ширину шины. Чем выше пропускная способность, тем быстрее работает память и тем выше стоимость модуля (при совпадении остальных характеристик).

21300 Mb/s

Кол-во модулей в комплекте 1

Объем памяти комплекта 32 Gb

Объем памяти одной планки 32 Gb

Тайминги:

CAS Latency (CL)

CAS Latency, CAS - это количество тактов от момента запроса данных до их считывания с модуля памяти. Одна из важнейших характеристик модуля памяти, определяющая ее быстродействие. Чем меньше значение CL, тем быстрее работает память.

Дополнительно:

Напряжение питания

Напряжение, необходимое для питания модуля оперативной памяти. Каждый модуль рассчитан на определенное значение напряжения, поэтому при выборе следует убедиться, что ваша материнская плата поддерживает необходимое напряжение.

1.2 V

Количество ранков

Количество ранков модуля оперативной памяти. Ранк - область памяти, созданная несколькими или всеми чипами модуля памяти и имеющая ширину 64 бита (72 бита, если есть поддержка ECC, см. Поддержка ECC). В зависимости от конструкции модуль может содержать один, два или четыре ранка. Современные серверные материнские платы имеют ограничение на суммарное число ранков памяти, т.е., например, если максимально может быть установлено восемь ранков и поставлено четыре двухранковых модуля, то в свободные слоты уже нельзя установить дополнительные модули, т.к. это приведет к превышению лимита. По этой причине одноранковые модули имеют более высокую стоимость, чем двух- и четырехранковые.

Код товара CT32G4RFD4266

Отзывы ()

Аналогичные товары в наличии

Артикул:
289865

Оперативная память HP 16GB DDR4-2400 DIMM Z9H57AA

Срок доставки товара - больше 2-х дней.

в Москве

Тип памяти: DDR4 / Форм-фактор: DIMM / Тактовая частота: 2400 Mhz / Кол-во модулей в комплекте: 1 / Объем памяти одной планки: 16 Gb

Цена:

16 680 руб.

Купить

Артикул:
222808

Оперативная память Kingston 32GB PC19200 DDR4 KIT2 HX424C15FBK2/32

Срок доставки товара - больше 2-х дней.

в Москве

Тип памяти: DDR4 / Форм-фактор: DIMM / Тактовая частота: 2400 Mhz / Кол-во модулей в комплекте: 2 / Объем памяти комплекта: 32 Gb / Объем памяти одной планки: 16 Gb / CAS Latency (CL): 15 / Радиатор: есть

Цена:

12 260 руб.

Купить

Артикул:
222838

Оперативная память Crucial BLE4C4G4D32AEEA

Срок доставки товара - больше 2-х дней.

в Москве

Тип памяти: DDR4 / Форм-фактор: DIMM / Тактовая частота: 3200 Mhz / Кол-во модулей в комплекте: 4 / Объем памяти комплекта: 16 Gb / Объем памяти одной планки: 4 Gb / CAS Latency (CL): 16 / Радиатор: есть

Цена:

14 920 руб.

Купить

Артикул:
285087

Оперативная память Corsair Vengeance LPX DDR4 32Gb (2x16Gb) 2400MHz PC4-19200 CL14 DIMM 288-pin 1.2В RTL CMK32GX4M2A2400C14

Срок доставки товара - больше 2-х дней.

в Москве

Тип памяти: DDR4 / Форм-фактор: DIMM / Тактовая частота: 2400 Mhz / Кол-во модулей в комплекте: 2 / Объем памяти комплекта: 32 Gb / Объем памяти одной планки: 16 Gb

Цена:

12 270 руб.

Купить

Артикул:
259296

Оперативная память Samsung DDR4 32GB RDIMM 2666MHz, 1.2v x4 M393A4K40CB2-CTD6Q

Срок доставки товара - больше 2-х дней.

в Москве

Тип памяти: DDR4 / Форм-фактор: DIMM / Тактовая частота: 2666 Mhz / Кол-во модулей в комплекте: 1 / Объем памяти одной планки: 32 Gb

Цена:

11 690 руб.

Купить

Артикул:
243502

Оперативная память HPE 8GB (1 x 8GB) Single Rank x8 PC4-2400T-E 2400MHz Unbuffered CAS-15 Standard Memory Kit 862974-B21

В наличии

Товар находится в наличии на складе. *перемещение в пункт самовывоза в течение суток (не более 3-х рабочих дней)

в Москве

Тип памяти: DDR4 / Форм-фактор: DIMM / Тактовая частота: 2400 Mhz / Кол-во модулей в комплекте: 1 / Объем памяти комплекта: 8 Gb / Объем памяти одной планки: 8 Gb / CAS Latency (CL): 17

Цена:

15 490 руб.

Купить